FQB32N12V2TM
FQB32N12V2TM
Osa numero:
FQB32N12V2TM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15671 Pieces
Tietolomake:
FQB32N12V2TM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQB32N12V2TM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQB32N12V2TM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQB32N12V2TM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.75W (Ta), 150W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQB32N12V2TM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 120V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Valua lähde jännite (Vdss):120V
Kuvaus:MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit