FQB4N80TM
FQB4N80TM
Osa numero:
FQB4N80TM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16208 Pieces
Tietolomake:
FQB4N80TM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQB4N80TM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQB4N80TM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQB4N80TM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.13W (Ta), 130W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FQB4N80TM-ND
FQB4N80TMTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FQB4N80TM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:880pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit