FQD10N20LTM
FQD10N20LTM
Osa numero:
FQD10N20LTM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13053 Pieces
Tietolomake:
1.FQD10N20LTM.pdf2.FQD10N20LTM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQD10N20LTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD10N20LTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQD10N20LTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252, (D-Pak)
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 3.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 51W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FQD10N20LTM-ND
FQD10N20LTMTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FQD10N20LTM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit