FQD12N20LTM_F085
FQD12N20LTM_F085
Osa numero:
FQD12N20LTM_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13959 Pieces
Tietolomake:
1.FQD12N20LTM_F085.pdf2.FQD12N20LTM_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQD12N20LTM_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD12N20LTM_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQD12N20LTM_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:Automotive, AEC-Q101, QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 4.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 55W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQD12N20LTM_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit