Ostaa FQD1P50TF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D-Pak |
Sarja: | QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10.5 Ohm @ 600mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | FQD1P50TF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 500V 1.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |