Ostaa FQD2N60CTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FQD2N60CTM
- Osa numero:
- FQD2N60CTM
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19280 Pieces
- Tietolomake:
- 1.FQD2N60CTM.pdf2.FQD2N60CTM.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FQD2N60CTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQD2N60CTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D-Pak |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | FQD2N60CTM-ND FQD2N60CTMTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FQD2N60CTM |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 235pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FQD2N60CTM
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD2N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N60CTF_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N90TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N100TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N80TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N60CTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A | tiedustelu |
|
FQD2N80TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N90TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK | tiedustelu |
|
FQD2N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog