FQI4N90TU
FQI4N90TU
Osa numero:
FQI4N90TU
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19398 Pieces
Tietolomake:
FQI4N90TU.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQI4N90TU, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQI4N90TU sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQI4N90TU BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.13W (Ta), 140W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FQI4N90TU
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):900V
Kuvaus:MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit