FQP18N20V2
Osa numero:
FQP18N20V2
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16711 Pieces
Tietolomake:
1.FQP18N20V2.pdf2.FQP18N20V2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQP18N20V2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQP18N20V2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQP18N20V2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220-3
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):123W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FQP18N20V2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 18A (Tc) 123W (Tc) Through Hole TO-220-3
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit