Ostaa FQPF9N08 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220F |
Sarja: | QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 210 mOhm @ 3.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 23W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | FQPF9N08 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 7A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F |
Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |