FQU20N06LTU
FQU20N06LTU
Osa numero:
FQU20N06LTU
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19815 Pieces
Tietolomake:
1.FQU20N06LTU.pdf2.FQU20N06LTU.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQU20N06LTU, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQU20N06LTU sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQU20N06LTU BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 8.6A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 38W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:FQU20N06LTU-ND
FQU20N06LTUFS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Valmistajan osanumero:FQU20N06LTU
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit