Ostaa G3SBA20L-E3/51 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
G3SBA20L-E3/51
- Osa numero:
- G3SBA20L-E3/51
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19635 Pieces
- Tietolomake:
- 1.G3SBA20L-E3/51.pdf2.G3SBA20L-E3/51.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä G3SBA20L-E3/51, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma G3SBA20L-E3/51 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 200V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1V @ 2A |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | GBU |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 4-SIP, GBU |
| Muut nimet: | G3SBA20L-E3/51-ND G3SBA20LE351 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | G3SBA20L-E3/51 |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Single Phase 200V 2.3A Through Hole GBU |
| diodi Tyyppi: | Single Phase |
| Kuvaus: | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat G3SBA20L-E3/51
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
G3SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | tiedustelu |
 |
G3SBA20L-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | tiedustelu |
|
G3SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | tiedustelu |
|
G3SBA20L-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | tiedustelu |
|
G3SBA60-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | tiedustelu |
|
G3SBA20L-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | tiedustelu |
|
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | tiedustelu |
|
G3SBA60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | tiedustelu |
|
G3SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog