Ostaa GBPC35010T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
GBPC35010T
- Osa numero:
- GBPC35010T
- Valmistaja:
- GeneSiC Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12812 Pieces
- Tietolomake:
- 1.GBPC35010T.pdf2.GBPC35010T.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä GBPC35010T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GBPC35010T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 1000V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.1V @ 17.5A |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | GBPC |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 4-Square, GBPC |
| Muut nimet: | GBPC35010T/WGN GBPC35010T/WGN-ND GBPC35010TW |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | QC Terminal |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | GBPC35010T |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal GBPC |
| diodi Tyyppi: | Single Phase |
| Kuvaus: | DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 35A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat GBPC35010T
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
GBPC3506T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
 |
GBPC3504T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
 |
GBPC35005W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 35A GBPC-W | tiedustelu |
|
GBPC35005T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
 |
GBPC3501T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
|
GBPC3510W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
|
GBPC3506W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-W | tiedustelu |
|
GBPC3502W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-W | tiedustelu |
|
GBPC3508T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
|
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
|
GBPC3501W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 35A GBPC-W | tiedustelu |
|
GBPC3504W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
|
GBPC3502T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-T/W | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog