GP1M008A050HG
GP1M008A050HG
Osa numero:
GP1M008A050HG
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13805 Pieces
Tietolomake:
GP1M008A050HG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä GP1M008A050HG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GP1M008A050HG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa GP1M008A050HG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max):120W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:1560-1169-1
1560-1169-1-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:GP1M008A050HG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:937pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit