GP1M009A020HG
GP1M009A020HG
Osa numero:
GP1M009A020HG
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16245 Pieces
Tietolomake:
GP1M009A020HG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä GP1M009A020HG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GP1M009A020HG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa GP1M009A020HG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):52W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:GP1M009A020HG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit