GP2M004A065CG
GP2M004A065CG
Osa numero:
GP2M004A065CG
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16196 Pieces
Tietolomake:
GP2M004A065CG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä GP2M004A065CG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GP2M004A065CG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa GP2M004A065CG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.4 Ohm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):98.4W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:GP2M004A065CG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:642pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 4A (Tc) 98.4W (Tc) Surface Mount D-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit