GP2M010A060H
GP2M010A060H
Osa numero:
GP2M010A060H
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18508 Pieces
Tietolomake:
GP2M010A060H.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä GP2M010A060H, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GP2M010A060H sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa GP2M010A060H BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):198W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:GP2M010A060H
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1660pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 10A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit