Ostaa GP2M020A050H BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 290W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | 1560-1213-1 1560-1213-1-ND |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | GP2M020A050H |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2880pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |