Ostaa HFA06TB120S BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
HFA06TB120S
- Osa numero:
- HFA06TB120S
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16836 Pieces
- Tietolomake:
- HFA06TB120S.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä HFA06TB120S, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HFA06TB120S sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 3V @ 6A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | HEXFRED® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 80ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | *HFA06TB120S VS-HFA06TB120S VS-HFA06TB120S-ND VSHFA06TB120S VSHFA06TB120S-ND |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | HFA06TB120S |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Surface Mount D2PAK |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 1200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 6A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat HFA06TB120S
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SURS8160T3G | ON Semiconductor | DIODE GP ULT FAST 600V 1A SMB | tiedustelu |
 |
HFA06TB120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC | tiedustelu |
 |
HFA06TB120STRL | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK | tiedustelu |
 |
HFA06PB120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC | tiedustelu |
|
HFA06TB120STRR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK | tiedustelu |
 |
50WQ04FN | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK | tiedustelu |
 |
HSM840JE3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | tiedustelu |
|
BYV29-300-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | tiedustelu |
 |
C3D08060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 | tiedustelu |
 |
RGP10GE-E3/91 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V 150NS DO204AL | tiedustelu |
 |
1N5398G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog