Ostaa HGT1S20N60A4S9A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
HGT1S20N60A4S9A
- Osa numero:
- HGT1S20N60A4S9A
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 600V 70A 290W TO263AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19522 Pieces
- Tietolomake:
- HGT1S20N60A4S9A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä HGT1S20N60A4S9A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HGT1S20N60A4S9A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 20A |
| Testaa kunto: | 390V, 20A, 3 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 15ns/73ns |
| Switching Energy: | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263AB |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 290W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | HGT1S20N60A4S9A |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 142nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT 600V 70A 290W Surface Mount TO-263AB |
| Kuvaus: | IGBT 600V 70A 290W TO263AB |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 280A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 70A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat HGT1S20N60A4S9A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
HGT1S2N120CN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK | tiedustelu |
 |
HGT1S20N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 164W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S12N60A4S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S20N35G3VLS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 380V 20A 150W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S20N36G3VL | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA | tiedustelu |
|
HGT1S7N60C3DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 14A 60W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S3N60A4DS9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 17A 70W D2PAK | tiedustelu |
|
HGT1S7N60C3DS9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 14A 60W TO263AB | tiedustelu |
|
HGT1S7N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 34A 125W TO263AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog