Ostaa HGTG5N120BND BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
HGTG5N120BND
- Osa numero:
- HGTG5N120BND
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 21A 167W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13379 Pieces
- Tietolomake:
- HGTG5N120BND.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä HGTG5N120BND, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HGTG5N120BND sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 5A |
| Testaa kunto: | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 22ns/160ns |
| Switching Energy: | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 65ns |
| Virta - Max: | 167W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | HGTG5N120BND-ND HGTG5N120BNDFS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | HGTG5N120BND |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Gate Charge: | 53nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247 |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 21A 167W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 40A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 21A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat HGTG5N120BND
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STGD3NB60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W DPAK | tiedustelu |
 |
TIG110BF | ON Semiconductor | IGBT 600V 27A 2W TO220 | tiedustelu |
 |
IRG4BC10SD-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W D2PAK | tiedustelu |
|
SKA06N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 32W TO220-3 | tiedustelu |
 |
FGA90N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 90A 219W TO3P | tiedustelu |
 |
IXGP12N120A2 | IXYS | IGBT 1200V 24A 75W TO220 | tiedustelu |
 |
IXYT30N65C3H1HV | IXYS | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | tiedustelu |
|
NGTB10N60FG | ON Semiconductor | IGBT 600V 10A TO220F3 | tiedustelu |
 |
AOTF15B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 15A | tiedustelu |
|
STGB8NC60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 65W D2PAK | tiedustelu |
 |
IRGP4068D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 96A 330W TO247AD | tiedustelu |
|
STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 20A 60W DPAK | tiedustelu |
|
IRG7PH46U-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A TO247 | tiedustelu |
 |
STGB10NB60ST4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 29A 80W D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog