HGTP2N120CN
Osa numero:
HGTP2N120CN
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12306 Pieces
Tietolomake:
1.HGTP2N120CN.pdf2.HGTP2N120CN.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HGTP2N120CN, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HGTP2N120CN sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HGTP2N120CN BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 2.6A
Testaa kunto:960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:25ns/205ns
Switching Energy:96µJ (on), 355µJ (off)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
Virta - Max:104W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HGTP2N120CN
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:NPT
Gate Charge:30nC
Laajennettu kuvaus:IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB
Kuvaus:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):20A
Nykyinen - Collector (le) (Max):13A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit