HN1A01FE-GR,LF
HN1A01FE-GR,LF
Osa numero:
HN1A01FE-GR,LF
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14459 Pieces
Tietolomake:
HN1A01FE-GR,LF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HN1A01FE-GR,LF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HN1A01FE-GR,LF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HN1A01FE-GR,LF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
transistori tyyppi:2 PNP (Dual)
Toimittaja Device Package:ES6
Sarja:-
Virta - Max:100mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:HN1A01FE-GR(5L,F,T
HN1A01FE-GR(5LFTTR
HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND
HN1A01FE-GR,LF(B
HN1A01FE-GR,LF(T
HN1A01FE-GRLF(BTR
HN1A01FE-GRLF(BTR-ND
HN1A01FE-GRLFTR
HN1A01FEGRLFTR
HN1A01FEGRLFTR-ND
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:HN1A01FE-GR,LF
Taajuus - Siirtyminen:80MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Kuvaus:TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit