Ostaa HN1A01FE-GR,LF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
transistori tyyppi: | 2 PNP (Dual) |
Toimittaja Device Package: | ES6 |
Sarja: | - |
Virta - Max: | 100mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
Muut nimet: | HN1A01FE-GR(5L,F,T HN1A01FE-GR(5LFTTR HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND HN1A01FE-GR,LF(B HN1A01FE-GR,LF(T HN1A01FE-GRLF(BTR HN1A01FE-GRLF(BTR-ND HN1A01FE-GRLFTR HN1A01FEGRLFTR HN1A01FEGRLFTR-ND |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | HN1A01FE-GR,LF |
Taajuus - Siirtyminen: | 80MHz |
Laajennettu kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Kuvaus: | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 150mA |
Email: | [email protected] |