HTNFET-DC
Osa numero:
HTNFET-DC
Valmistaja:
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18925 Pieces
Tietolomake:
HTNFET-DC.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HTNFET-DC, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HTNFET-DC sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HTNFET-DC BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:-
Sarja:HTMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 100mA, 5V
Tehonkulutus (Max):50W (Tj)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:8-CDIP Exposed Pad
Käyttölämpötila:-
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HTNFET-DC
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 28V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit