Ostaa HUF75329S3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D²PAK (TO-263AB) |
Sarja: | UltraFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 49A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 128W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | HUF75329S3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1060pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 20V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 49A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 49A (Tc) |
Email: | [email protected] |