HUFA75309D3
HUFA75309D3
Osa numero:
HUFA75309D3
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16087 Pieces
Tietolomake:
HUFA75309D3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HUFA75309D3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HUFA75309D3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HUFA75309D3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-251AA
Sarja:UltraFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 19A, 10V
Tehonkulutus (Max):55W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HUFA75309D3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 20V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 19A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-251AA
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit