HUFA75637P3
Osa numero:
HUFA75637P3
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17938 Pieces
Tietolomake:
1.HUFA75637P3.pdf2.HUFA75637P3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HUFA75637P3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HUFA75637P3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HUFA75637P3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:UltraFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 44A, 10V
Tehonkulutus (Max):155W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HUFA75637P3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:108nC @ 20V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 44A (Tc) 155W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:44A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit