HUFA76619D3ST
HUFA76619D3ST
Osa numero:
HUFA76619D3ST
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13243 Pieces
Tietolomake:
HUFA76619D3ST.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä HUFA76619D3ST, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma HUFA76619D3ST sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa HUFA76619D3ST BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252AA
Sarja:UltraFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 18A, 10V
Tehonkulutus (Max):75W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:HUFA76619D3ST
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:767pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 18A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit