Ostaa IGW50N65H5FKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IGW50N65H5FKSA1
- Osa numero:
- IGW50N65H5FKSA1
- Kuvaus:
- IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13793 Pieces
- Tietolomake:
- IGW50N65H5FKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IGW50N65H5FKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IGW50N65H5FKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 50A |
| Testaa kunto: | 400V, 25A, 12 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 21ns/180ns |
| Switching Energy: | 520µJ (on), 180µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO247-3 |
| Sarja: | TrenchStop® |
| Virta - Max: | 305W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | SP001001744 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IGW50N65H5FKSA1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 120nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT 650V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3 |
| Kuvaus: | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 150A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IGW50N65H5FKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 | tiedustelu |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | tiedustelu |
 |
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 110W TO220-3 | tiedustelu |
 |
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | tiedustelu |
|
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 319.2W TO247 | tiedustelu |
|
IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 | tiedustelu |
 |
RJP60F0DPM-00#T1 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM | tiedustelu |
|
IGW50N60T | Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | tiedustelu |
|
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | tiedustelu |
 |
IXGA12N60B | IXYS | IGBT 600V 24A 100W TO263AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog