Ostaa IKD10N60R BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IKD10N60R
- Osa numero:
- IKD10N60R
- Kuvaus:
- IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15212 Pieces
- Tietolomake:
- IKD10N60R.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IKD10N60R, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IKD10N60R sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 10A |
| Testaa kunto: | 400V, 10A, 23 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 14ns/192ns |
| Switching Energy: | 590µJ |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | TrenchStop® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 62ns |
| Virta - Max: | 150W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IKD10N60RBTMA1 IKD10N60RINTR SP000629350 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IKD10N60R |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench |
| Gate Charge: | 64nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3 |
| Kuvaus: | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 30A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 20A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IKD10N60R
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | tiedustelu |
|
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO252 | tiedustelu |
|
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | tiedustelu |
 |
IRG7PH46UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A COPAK247 | tiedustelu |
|
IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | tiedustelu |
 |
APT102GA60L | Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO264 | tiedustelu |
 |
IXBF32N300 | IXYS | IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 | tiedustelu |
 |
RJH60V1BDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | tiedustelu |
 |
HGTD3N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | tiedustelu |
 |
SGH20N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 32A 195W TO3P | tiedustelu |
 |
IXGP10N60A | IXYS | IGBT 600V 20A 100W TO220AB | tiedustelu |
 |
IXGH25N120A | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog