Ostaa IKW30N65WR5XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IKW30N65WR5XKSA1
- Osa numero:
- IKW30N65WR5XKSA1
- Kuvaus:
- IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18417 Pieces
- Tietolomake:
- IKW30N65WR5XKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IKW30N65WR5XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IKW30N65WR5XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.8V @ 15V, 30A |
| Testaa kunto: | 400V, 15A, 26 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 39ns/367ns |
| Switching Energy: | 990µJ (on), 330µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO247-3 |
| Sarja: | TrenchStop™ |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 95ns |
| Virta - Max: | 185W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | SP001273472 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IKW30N65WR5XKSA1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench |
| Gate Charge: | 155nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench 650V 60A 185W Through Hole PG-TO247-3 |
| Kuvaus: | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 90A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IKW30N65WR5XKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 | tiedustelu |
|
IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | tiedustelu |
|
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | tiedustelu |
|
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | tiedustelu |
|
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | tiedustelu |
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | tiedustelu |
|
IKW30N60T | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | tiedustelu |
|
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 53A 200W TO247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog