IMD1AT108
IMD1AT108
Osa numero:
IMD1AT108
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16507 Pieces
Tietolomake:
IMD1AT108.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IMD1AT108, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IMD1AT108 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IMD1AT108 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SMT6
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):22k
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-74, SOT-457
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IMD1AT108
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Kuvaus:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):-
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit