Ostaa IPA057N08N3GXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO220-FP |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.7 mOhm @ 60A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 39W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Muut nimet: | IPA057N08N3 G IPA057N08N3 G-ND IPA057N08N3G SP000454442 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPA057N08N3GXKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 60A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |