Ostaa IPB065N15N3GE8187ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB065N15N3GE8187ATMA1
- Osa numero:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14748 Pieces
- Tietolomake:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB065N15N3GE8187ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB065N15N3GE8187ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 270µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-7 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Muut nimet: | IPB065N15N3 G E8187 IPB065N15N3 G E8187-ND IPB065N15N3 G E8187TR-ND SP000939336 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7300pF @ 75V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB065N15N3GE8187ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | tiedustelu |
|
IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | tiedustelu |
 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | tiedustelu |
 |
PMT760EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SC-73 | tiedustelu |
|
IPB06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers