IPB16CN10N G
IPB16CN10N G
Osa numero:
IPB16CN10N G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18480 Pieces
Tietolomake:
IPB16CN10N G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB16CN10N G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB16CN10N G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB16CN10N G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 61µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:16.5 mOhm @ 53A, 10V
Tehonkulutus (Max):100W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SP000096452
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPB16CN10N G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 53A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:53A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit