Ostaa IPB180N06S4H1ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB180N06S4H1ATMA1
- Osa numero:
- IPB180N06S4H1ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15912 Pieces
- Tietolomake:
- IPB180N06S4H1ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB180N06S4H1ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB180N06S4H1ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-7-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 250W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Muut nimet: | IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4-H1-ND SP000415562 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPB180N06S4H1ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 21900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB180N06S4H1ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180N06S4H1ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180N03S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | tiedustelu |
|
IPB180N04S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180N04S3-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | tiedustelu |
|
IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | tiedustelu |
|
IPB180N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | tiedustelu |
|
IPB180N04S302ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180N04S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog