Ostaa IPB45N06S3L-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB45N06S3L-13
- Osa numero:
- IPB45N06S3L-13
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15013 Pieces
- Tietolomake:
- IPB45N06S3L-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB45N06S3L-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB45N06S3L-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 30µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13.1 mOhm @ 26A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 65W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IPB45N06S3L-13-ND IPB45N06S3L-13INTR IPB45N06S3L13XT SP000102223 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPB45N06S3L-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 45A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB45N06S3L-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | tiedustelu |
|
IPB45N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 | tiedustelu |
 |
FCPF22N60NT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F | tiedustelu |
|
IPB45N06S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | tiedustelu |
 |
IRFUC20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK | tiedustelu |
|
IPB45P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | tiedustelu |
 |
TK6A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V TO220SIS | tiedustelu |
 |
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog