IPB45N06S3L-13
IPB45N06S3L-13
Osa numero:
IPB45N06S3L-13
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15013 Pieces
Tietolomake:
IPB45N06S3L-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB45N06S3L-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB45N06S3L-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB45N06S3L-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 30µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-3-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:13.1 mOhm @ 26A, 10V
Tehonkulutus (Max):65W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB45N06S3L-13-ND
IPB45N06S3L-13INTR
IPB45N06S3L13XT
SP000102223
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPB45N06S3L-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 45A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit