Ostaa IPB47N10S-33 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB47N10S-33
- Osa numero:
- IPB47N10S-33
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14208 Pieces
- Tietolomake:
- IPB47N10S-33.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB47N10S-33, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB47N10S-33 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 33 mOhm @ 33A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 175W (Tc) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IPB47N10S-33CT IPB47N10S-33CT-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPB47N10S-33 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB47N10S-33
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF3707ZCSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | tiedustelu |
 |
FDP045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | tiedustelu |
|
FDP15N65 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 | tiedustelu |
 |
IRF7470TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | tiedustelu |
|
FQP34N20L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 | tiedustelu |
 |
IRC630PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5 | tiedustelu |
 |
DMN3018SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI | tiedustelu |
 |
STP16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog