Ostaa IPB77N06S212ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB77N06S212ATMA1
- Osa numero:
- IPB77N06S212ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17092 Pieces
- Tietolomake:
- IPB77N06S212ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB77N06S212ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB77N06S212ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 93µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 11.7 mOhm @ 38A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 158W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IPB77N06S2-12 IPB77N06S2-12-ND SP000218173 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPB77N06S212ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1770pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB77N06S212ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD23202W10T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | tiedustelu |
 |
IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | tiedustelu |
 |
BSS139L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
IXTT12N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 | tiedustelu |
 |
SI1417EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 | tiedustelu |
 |
IPI80P04P4L06AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO262-3 | tiedustelu |
 |
HUF76633P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRFBE20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | tiedustelu |
 |
FQB19N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK | tiedustelu |
 |
2N7236U | Microsemi Corporation | MOSFET P-CH 100V SMD1 | tiedustelu |
 |
PMXB43UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog