Ostaa IPB80N06S209ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 125µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 190W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | IPB80N06S2-09 IPB80N06S2-09-ND SP000218741 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IPB80N06S209ATMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2360pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |