IPB80N08S2L-07
IPB80N08S2L-07
Osa numero:
IPB80N08S2L-07
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19078 Pieces
Tietolomake:
IPB80N08S2L-07.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB80N08S2L-07, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB80N08S2L-07 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB80N08S2L-07 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-3-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB80N08S2L-07DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB80N08S2L-07
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:233nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit