IPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1
Osa numero:
IPD068N10N3GBTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14762 Pieces
Tietolomake:
IPD068N10N3GBTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD068N10N3GBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD068N10N3GBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD068N10N3GBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 90A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPD068N10N3GBTMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4910pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit