IPD135N03L G
IPD135N03L G
Osa numero:
IPD135N03L G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13179 Pieces
Tietolomake:
IPD135N03L G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD135N03L G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD135N03L G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD135N03L G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):31W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD135N03L GTR
IPD135N03L GTR-ND
IPD135N03LGATMA1
SP000796912
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPD135N03L G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit