Ostaa IPD30N06S4L23ATMA2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 10µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±16V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3-11 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 36W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD30N06S4L23ATMA2TR SP001028638 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPD30N06S4L23ATMA2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1560pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |