Ostaa IPD50R3K0CEAUMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 30µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
Sarja: | CoolMOS™ CE |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
Tehonkulutus (Max): | 26W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD50R3K0CEAUMA1TR SP001396826 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPD50R3K0CEAUMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 84pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 13V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |