Ostaa IPD60R600P6ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 200µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
Sarja: | CoolMOS™ P6 |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 63W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD60R600P6ATMA1-ND IPD60R600P6ATMA1TR SP001178242 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPD60R600P6ATMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 557pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |