IPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1
Osa numero:
IPD800N06NGBTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19502 Pieces
Tietolomake:
IPD800N06NGBTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD800N06NGBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD800N06NGBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD800N06NGBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 16µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max):47W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD800N06N G
IPD800N06N G-ND
IPD800N06NGINTR
IPD800N06NGINTR-ND
IPD800N06NGXT
SP000204179
SP000443764
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPD800N06NGBTMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 16A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit