IPI65R280E6XKSA1
IPI65R280E6XKSA1
Osa numero:
IPI65R280E6XKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16452 Pieces
Tietolomake:
IPI65R280E6XKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPI65R280E6XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI65R280E6XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPI65R280E6XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 440µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3-1
Sarja:CoolMOS™ E6
RDS (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 4.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):104W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:SP000795270
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPI65R280E6XKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit