IPI70N10S312AKSA1
IPI70N10S312AKSA1
Osa numero:
IPI70N10S312AKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19495 Pieces
Tietolomake:
IPI70N10S312AKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPI70N10S312AKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI70N10S312AKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPI70N10S312AKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 83µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:11.6 mOhm @ 70A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPI70N10S312AKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4355pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit