Ostaa IPI70N10S312AKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 83µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO262-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 11.6 mOhm @ 70A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | IPI70N10S3-12 IPI70N10S3-12-ND SP000407124 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPI70N10S312AKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4355pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |