IPI80N06S4L07AKSA2
IPI80N06S4L07AKSA2
Osa numero:
IPI80N06S4L07AKSA2
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12091 Pieces
Tietolomake:
IPI80N06S4L07AKSA2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPI80N06S4L07AKSA2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI80N06S4L07AKSA2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPI80N06S4L07AKSA2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 40µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3-1
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.7 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):79W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:SP001028678
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPI80N06S4L07AKSA2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit