Ostaa IPI80N06S4L07AKSA2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPI80N06S4L07AKSA2
- Osa numero:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12091 Pieces
- Tietolomake:
- IPI80N06S4L07AKSA2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPI80N06S4L07AKSA2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPI80N06S4L07AKSA2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 40µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO262-3-1 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 79W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | SP001028678 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPI80N06S4L07AKSA2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5680pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPI80N06S4L07AKSA2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPI80N06S4L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S2L11AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S3-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | tiedustelu |
|
IPI80N06S208AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S3L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | tiedustelu |
 |
IPI80N06S405AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | tiedustelu |
|
IPI80N06S4L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S4L05AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S407AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S407AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | tiedustelu |
|
IPI80N06S207AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog