Ostaa IPL60R185P7AUMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPL60R185P7AUMA1
- Osa numero:
- IPL60R185P7AUMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16269 Pieces
- Tietolomake:
- IPL60R185P7AUMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPL60R185P7AUMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPL60R185P7AUMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 280µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-VSON-4 |
| Sarja: | CoolMOS™ P7 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 185 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 81W (Tc) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 4-PowerTSFN |
| Muut nimet: | IPL60R185P7AUMA1DKR |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPL60R185P7AUMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1081pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 19A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPL60R185P7AUMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | tiedustelu |
 |
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON | tiedustelu |
 |
IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | tiedustelu |
 |
IPL60R385CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON | tiedustelu |
|
IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 | tiedustelu |
|
IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4VSON | tiedustelu |
|
IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | tiedustelu |
|
IPL60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON | tiedustelu |
|
IPL60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON | tiedustelu |
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | tiedustelu |
|
IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | tiedustelu |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog